一、MOCVD设备〖集散控制系统〗设计（论文文献综述）
许秀明[1]（2019）在《彼得·纽马克交际翻译理论视角下《国际空港城市：在大空间中构建未来》（第六章至第八章）英译实践报告》文中研究表明随着科学技术的飞速发展,大空间时代接踵而至,临空经济作为一种新的经济形式在大空间时代背景下正在蓬勃发展。作为临空经济发展的高级形态---国际空港城市正在兴起,建设国际空港城市已成为国际共识。为了把我国在国际空港城市建设领域的研究成果推向世界,以实现国际间经济信息的共享,进而更好地促进我国与世界各国的经济交流与合作,笔者参与了《国际空港城市:在大空间中构建未来》一书的翻译工作,在彼得·纽马克交际翻译理论的指导下,使用恰当的翻译方法及翻译策略对该书第六章至第八章内容进行了英译。本翻译实践报告从四个部分展开,第一部分为翻译任务概述,主要介绍了翻译实践项目的选题背景、选题目的和意义以及翻译文本的主要内容,深入分析了原文作为经济类文本在词汇,句法以及篇章层面所具有的一些特点。第二部分是对翻译过程进行综述,通过对译前准备工作,翻译过程及译后译文校审的论述,明确翻译实践过程中各环节的重点工作。第三部分为案例分析,在彼得·纽马克交际翻译理论的指导下,针对词汇、句法及语篇三个层面结合具体实例深入分析了具体翻译技巧和翻译策略的应用。第四部分通过阐述翻译过程中的收获与启发、存在的问题和不足对此次翻译实践项目进行了总结。本翻译实践报告是在彼得·纽马克交际翻译理论的指导下,对适用于经济类文本翻译的方法和策略进行了探索和实践,这对于今后从事经济类文本翻译的译者提供了参考和借鉴。
鲁二峰[2]（2014）在《MOCVD温度监测与均匀性研究》文中提出MOCVD设备的研制作为LED产业的核心技术之一,在LED产业发展中扮演重要角色。随着我国对LED产业的重视,独立自主研发MOCVD设备变得十分必要。本文以实际MOCVD设备研发为背景,对其中的若干技术问题展开研究。MOCVD设备研制技术十分复杂,包括机械、工艺、软件和控制等方面。本文的研究涉及软件和控制两个方面,包括三个要点：第一,提出了MOCVD控制的软件系统架构。从软件需求分析入手,结合当前主流软件系统的各自优势,并根据分层和模块化的设计思想,讨论了软件系统的层次划分和层内各模块功能,使用基于CORBA/RPC的通信中间件完成层间实时通信。第二,定义实现了MOCVD温度控制系统接口。将温度控制中参数整定工作放到上位机进行,并设计与控制器通讯的接口,提供多种通信协议。设计和实现了温度控制算法的统一接口,为智能算法在温度控制的应用提供可能。同时设计实现了测试接口DLL的应用程序。第三,提出了基于在线建模和仿生优化算法的温度均匀性控制策略。利用神经网络在线建立MOCVD控制模型,仿生优化算法对影响温度均匀性的功率配比进行优化,为MOCVD温度均匀性研究提供了新的思路。该策略的有效性通过仿真实验验证。本文的研究内容与实际工程实践密切相关,取得的成果有助于指导实际MOCVD的研发工作,且部分成果已在实际应用中得到验证。
李爽[3]（2013）在《基于PID控制的MOCVD过程PLC控制系统》文中提出摘要：金属有机化合物化学气相沉淀,Metal-organic Chemical Vapor Deposition,缩写是MOCVD,是在气相外延生长（VPE, vapour phaseepitaxy）的基础上发展起来的一种新型化学气相沉积技术。MOCVD系统的需求量,随着半导体器件化合物生成法、单晶硅等市场的不断扩大而不断增长。因此,易于操作的、简便快捷的、高精度的MOCVD控制系统已成为一种紧迫的市场需求。本论文在充分了解和分析了国内外普遍应用的几款MOCVD系统结构特点和运行过程的前提下,设计了MOCVD的过程控制系统（基于S7-1200系列可编程控制器）,并且对其中的MOCVD压力系统提出了更为准确的控制方法。首先,针对MOCVD系统压力调节所需要的高控制精度、多控制方式、多控制组合,设计中选用的可编程控制器,并根据控制要点分析可能的控制组合,并从组合中筛选最优组合。然后,对MOCVD控制系统的各个分支系统进行设计,包括PLC控制系统、真空系统、温度控制系统、压力控制系统。本次设计使用西门子S7-1200系列新型PLC自带的PID3Step模块,编写反应室压力自动控制程序,建立反应室压力控制系统,达到反应室压力动态平衡、压力自动控制。当系统进气量改变时,反应室内压力能够维持稳定或者按照使用者的需求控制。为减少外部干扰（反应室进气量改变、反应室温度改变、真空泵抽力改变等）以及离散控制（点动控制是否进气、阀门开闭）可能造成的反应室压力波动,系统使用连续式的PID控制,降低系统超调,增加了MOCVD反应过程控制的稳定性,提高了反应得到的涂层的均匀性、可靠性,以及产品的优质率。图34副,表2个,参考文献67篇
周晓琴[4]（2012）在《GaN型MOCVD控制系统的设计与研究》文中研究表明以GaN为代表的第三代宽禁带化合物半导体材料因其显着优点是目前世界上最先进的半导体材料,广泛应用于蓝、绿光发光器件领域。MOCVD技术是当前唯一能够大规模生产GaN系外延薄膜材料圆片的技术。迄今为止,MOCVD技术在国外已相当成熟,而我国的生产型MOCVD设备目前来说还是空白,主要依赖进口,价格十分昂贵,严重制约了我国半导体材料的发展。因此,本课题不仅迫在眉睫,而且有着重大的现实意义。本文的MOCVD采用FCS控制系统,以“上位机+下位机+现场设备”三层控制模式实现：上位机监控软件用于实现工艺编辑、实时监控以及生长曲线绘制等功能；下位机PLC完成所有模拟量、数字量的监控和控制,并通过工业以太网与上位机通讯,通过设备网与现场智能仪表通讯；现场智能仪表为最底层控制设备,用于实现PLC下达的控制指令。本文的MOCVD选用Allen-Bradley Logix系列控制器作为核心控制器。采用Delphi7开发平台完成上位机监控软件设计,下位机程序文件由RSLogix5000编程软件和STEP7-Micro/WIN V4.0编程软件完成。采用OPC通讯协议,以RSLinx为桥梁,构建了工业以太网和设备网高效可靠的通讯渠道。本文的37片MOCVD设备经调试后,已投入试运行,设备目前运行良好,材料生长稳定,材料性能和设备技术指标均达市场要求。
王志会[5]（2010）在《基于OPC规范的MOCVD控制系统软件优化设计》文中研究表明OPC（OLE for Process Control,用于过程控制的对象链接和嵌入）是基于Microsoft的OLE（Object Linking and Embedding,对象链接和嵌入）/COM（Component Object Model,组件对象模型）技术,为解决工业客户机与各种设备驱动程序间通讯而产生的一项工业技术规范和标准。OPC技术规范是OPC基金会制定的,它提供了统一的数据访问软硬件接口。OPC技术已经得到越来越多的工控领域硬件和软件制造商的承认和支持,已成为工业控制软件公认的标准。文本项目来源为国家863半导体照明工程,针对西安电子科技大学第三代生产型MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化学气相沉积）系统设备,根据工艺要求,进行了MOCVD控制系统监控界面的软件优化与设计。本文以Visual C++ 6.0为开发平台,采用OPC数据存取2.05规范开发了OPC客户端程序,实现了主要接口和基本功能,并在深刻理解OPC协议规范的基础上重新封装了一些常用的API（Application Programming Interface,应用程序编程接口）函数,编制了自己的头文件,应用于客户端程序中。该客户端程序通过OPC自定义接口访问OPC服务器的方法,成功地实现了对硬件的数据读取,而不必自己独立开发和硬件的通信程序。该OPC客户端程序开发成功后,实现访问OPC服务器的程序代码还可以应用到其它任意一个带有OPC服务器的监控系统中,提高了程序代码的重用性。采用自定义接口的OPC客户端程序应用到MOCVD监控系统中,在完成OPC服务器和硬件的连接组态后,利用开发的客户端程序,采用OPC技术的异步和订阅式通信机制成功地读取了OPC服务器的数据,从而实现了对MOCVD控制系统中的流量、压力、控制量和报警信号的监控,MOCVD监控系统对数据的读写效率大为提高,克服了画面更新延迟现象,优化了监控系统界面。同时,本论文所开展的工作对以后OPC技术的研究和OPC产品的开发也具有一定的指导意义。
胡晓宇[6]（2009）在《学位论文题目氮化镓有机化合物气相淀积（GaN MOCVD）设备控制系统研究》文中提出GaN MOCVD设备是高亮度蓝光LED生产线中技术难度最大、价格最为昂贵的设备,其控制对象包括温控仪、流量计、压控仪、伺服电机、真空泵、露点仪、报警器、纯化器以及数量众多的I／O控制与联锁,控制系统十分复杂。目前,国内GaN MOCVD设备及控制技术较为落后,是半导体照明产业链中急待突破的瓶颈技术,也是我国半导体照明工程实施中最大的障碍。文章在对国外MOCVD设备控制方法进行充分调研后,自主设计了GaNMOCVD设备工艺自动控制系统。总体控制方案采用“上位机+PLC”的两级控制模式：上位机完成工艺编辑、数据管理和全中文、图形化显示功能；PLC完成所有模拟量、开关量的监测与控制,通过以太网与上位机进行数据交换,并通过串行通讯实现对各种仪器仪表的监控。文章针对MOCVD系统的几个关键控制问题,如MO源精确输运控制、气体无扰动切换控制、压力闭环自动控制、温度控制等,提出了实施方案,分析并实现了相应的系统。鉴于反应室温度控制对MOCVD系统的重要性,文章重点研究了该问题,根据相关机理分析和相关试验,指出该系统温度控制的主要困难：（1）控制对象具有大滞后、非线性和参数温变等特点；（2）温控系统的检测温度（加热盘底部中心温度）和控制温度（加热盘表面温度）不一致。针对这些问题,文章利用试验建立了不同温度范围的温控对象模型,提出了利用试验方法研究系统温度校正与加热功率分配的方法,并提出了基于模糊PID的温度控制方法。仿真分析和实测结果都表明文章提出的基于模糊PID的MOCVD温控方案明显优于传统PID控制,能够满足系统要求。文章还介绍了系统的软硬件开发方法,包括上位机和PLC的硬件配置选型、程序设计和界面开发等。经过两年多的设计与制造,6个多月的现场调试与工艺试验,文章研究的GaN MOCVD设备在用户单位成功外延出GaN蓝光LED芯片,设备技术指标和工艺指标达到合同要求,受到项目验收专家组的好评。
牛年增[7]（2009）在《基于PLC的第三代MOCVD控制系统研究与设计》文中研究说明GaN系第三代半导体材料在光电、能量装置等方面有着广泛的应用范围和市场前景,采用MOCVD技术进行GaN系材料生长具有明显优势。目前,生产型MOCVD系统设备在国内处于空白,大多从国外进口,因此研制具有自主知识产权的生产型MOCVD系统设备具有十分重要的战略意义。文本项目来源为国家863半导体照明工程,针对西安电子科技大学第三代生产型MOCVD系统设备,根据工艺要求,进行了MOCVD控制系统的研究与设计。MOCVD控制系统选用Simens S7-300可编程控制器作为核心控制器,选用Simens WinCC进行上位机监控界面开发。根据控制系统特点和材料生长工艺要求,进行了下位机PLC硬件配置组态和软件程序设计。分别设计了手动、自动控制程序,设计了系统自动运行时的初始化、总体控制、步序控制、循环控制、模拟量渐变输出、模拟量输入、数字量输入输出、报警及故障处理等子程序。设计了系统上位机监控界面,新的监控界面直观、形象,操作方便。MOCVD设备已投入生产,目前该设备运行情况良好,材料生长正常。实际运行情况表明,所设计的控制系统抗干扰性强、可靠性高,具有较好的控制精度,满足MOCVD设备控制系统要求,保证了材料生长的顺利进行。本文所开展的工作,对于MOCVD控制系统的设计和研究具有十分重要的意义,为生产型MOCVD控制系统的研究和设计奠定了基础。
斗李宁[8]（2009）在《基于PLC的MOCVD控制系统的优化设计》文中认为作为第三代半导体材料的代表,氮化镓基半导体材料内、外量子效率高,具备高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是目前世界上最先进的半导体材料。采用MOCVD技术进行材料生长优势明显。针对西安电子科技大学MOCVD系统,根据MOCVD系统工艺要求,进行了基于PLC的MOCVD控制系统的优化设计。本文研究的项目来源于宽禁带半导体材料生长技术及MOCVD设备,军用电子元器件型谱攻关项目,GaN-MOCVD深紫外LED材料生长设备,国家863项目。在保留了原MOCVD系统的优点的基础上,同时针对新的生长工艺,对整个系统的控制程序进行了相应的升级和优化。新的工艺要求由原来的50步增长至120步,以前的循环控制程序不能满足要求,同时由于程序的重新编写使得原来的CPU也不能满足要求。总的说来,本文的主要工作主要涉及了步序与循环控制、报警及故障处理、模拟量多路分时选择输入、模拟量平滑处理及输出、数字量的输入及输出等子程序,同时对上位机的监控界面做了介绍,对Excel材料生长配方表的VB宏代码进行了重新设计。解决了原来系统代码集中在上位机,导致系统运行慢、稳定性差的缺点,而且也很好的满足了新的工艺要求。升级后的MOCVD控制系统与原来的MOCVD控制系统相比,其性能更加稳定和完善。它为进一步研发多片式MOCVD控制系统奠定了基础。
胡晓宇,陈海昕[9]（2008）在《基于数值模拟的MOCVD反应器设计与优化》文中提出介绍了垂直喷淋式MOCVD反应器的最新计算机模拟仿真结果,并根据仿真结果对反应器的结构和参数进行了优化设计,应用在自行研制的用于GaN和四元化合物材料生长的设备中。
邓方林[10]（2008）在《MOCVD控制系统的优化设计》文中研究说明MOCVD是制备半导体薄片单晶的一项新技术,研究和开发具有国际先进水平的MOCVD设备意义非常重大。该课题研究来源于军用电子元器件型谱攻关项目（编号：QTXDXY-0405XE0400）以及陕西省科学技术研究发展计划项目（编号：2004k05-G1）。本文主要研究了MOCVD控制系统的优化设计。针对用户的要求以及在系统实际运行中所遇到的问题,对整个控制系统尤其是上位机监控系统进行了优化设计。根据MOCVD控制系统的特点,选用西门子公司的S7-300为下位机并作为主控制系统,工业控制计算机作为上位机完成系统的监控等功能。本文的特点就是在已有的MOCVD控制系统的基础上,成功地完成了以下主要工作：为了数据整理的需要,增加了对重要数据的实时保存功能；为便于查看,数据保存格式为excel文件格式,且与配方的数据格式保持一致；根据STEP 7中数据的存储类型及寻址方式,把原来32个数字量用一个32位无符号类型的变量表示,大大提高了数字量下载速度,也减轻了系统负担；监控界面中增加了当前时间显示和下载进度显示：对画面区与操作按钮区的布局进行了适当调整,对需要互锁的按钮采取了互锁保护措施,提高了系统的安全可靠性。经过优化设计后的MOCVD系统在性能上更加稳定、完善,在运行上更加可靠,在使用上更加人工智能化。本系统现已投入材料生产运行,并实现了高质量GaN晶体薄膜材料的生长。
二、MOCVD设备〖集散控制系统〗设计（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、MOCVD设备〖集散控制系统〗设计（论文提纲范文）
（1）彼得·纽马克交际翻译理论视角下《国际空港城市：在大空间中构建未来》（第六章至第八章）英译实践报告（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 翻译任务概述 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 选题目的及意义 |
| 1.3 翻译实践项目简介 |
| 1.3.1 文本选择 |
| 1.3.2 文本主要内容 |
| 1.3.3 文本性质与特点 |
| 1.3.3.1 词汇层面 |
| 1.3.3.2 句法层面 |
| 1.3.3.3 语篇层面 |
| 第二章 翻译过程综述 |
| 2.1 译前准备 |
| 2.1.1 钻研理论 |
| 2.1.2 研读文本 |
| 2.1.3 查阅资料 |
| 2.1.4 确定翻译辅助工具 |
| 2.2 翻译过程 |
| 2.2.1 词汇层面的处理 |
| 2.2.2 句法层面的处理 |
| 2.2.3 语篇层面的处理 |
| 2.3 译文校审 |
| 第三章 案例分析 |
| 3.1 彼得·纽马克交际翻译理论 |
| 3.1.1 彼得·纽马克交际翻译理论内涵 |
| 3.1.2 彼得·纽马克交际翻译理论的适用性分析 |
| 3.2 交际翻译理论视角下翻译策略 |
| 3.2.1 词汇翻译策略 |
| 3.2.1.1 专业术语翻译 |
| 3.2.1.2 四字词语翻译 |
| 3.2.1.3 固定搭配短语翻译 |
| 3.2.2 句法翻译策略 |
| 3.2.2.1 长难句翻译策略 |
| 3.2.2.2 无主句翻译策略 |
| 3.2.2.3 偏正复句翻译策略 |
| 3.2.3 语篇翻译策略 |
| 3.2.3.1 连词的翻译 |
| 3.2.3.2 段落衔接的翻译 |
| 3.2.3.3 章节衔接的翻译 |
| 第四章 总结 |
| 4.1 收获与启发 |
| 4.2 问题与不足 |
| 参考文献 |
| 附录1 原文 |
| 附录2 译文 |
（2）MOCVD温度监测与均匀性研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与立题意义 |
| 1.2 MOCVD温度监测与控制 |
| 1.2.1 MOCVD温度监测系统 |
| 1.2.2 反应室温度均匀性 |
| 1.3 国内外研究现状综述 |
| 1.3.1 MOCVD控制软件系统 |
| 1.3.2 温度均匀性控制 |
| 1.4 课题研究内容及论文组织结构 |
| 1.4.1 课题研究内容 |
| 1.4.2 论文组织结构 |
| 1.5 本章小结 |
| 第2章 MOCVD软件系统 |
| 2.1 主流软件系统简介 |
| 2.1.1 EpiView |
| 2.1.2 CACE |
| 2.1.3 基于OPC规范的控制软件系统 |
| 2.2 功能需求分析 |
| 2.2.1 系统可配置性 |
| 2.2.2 工艺执行要求 |
| 2.2.3 数据收集 |
| 2.3 软件架构设计 |
| 2.3.1 软件总体结构 |
| 2.3.2 软件模块设计 |
| 2.3.3 通信中间软件设计 |
| 2.4 基于MVC和C/S模式的GUI设计 |
| 2.4.1 MVC结构简介 |
| 2.4.2 GUI设计 |
| 2.5 基于B/S和MSSQL的管理系统 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 MOCVD温度控制软件设计 |
| 3.1 温度控制回路 |
| 3.1.1 温控回路结构 |
| 3.1.2 温控方案 |
| 3.2 接口定义与实现 |
| 3.2.1 功能需求分析 |
| 3.2.2 设计要点 |
| 3.2.3 温控接口实现 |
| 3.3 接口测试应用程序设计与实现 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 反应室温度均匀性控制 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 温度均匀性研究方法 |
| 4.2.1 有限元分析法 |
| 4.2.2 有限体积分析法 |
| 4.2.3 有限元和有限体积分析的并行计算 |
| 4.3 温度均匀性控制 |
| 4.3.1 MOCVD反应室结构 |
| 4.3.2 温度均匀性控制回路 |
| 4.4 基于建模和优化的温度均匀性控制 |
| 4.4.1 基于神经网络的在线建模 |
| 4.4.2 仿生优化算法 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 温度均匀性控制仿真 |
| 5.1 仿真环境 |
| 5.2 仿真数据 |
| 5.2.1 动态仿真数据 |
| 5.2.2 稳态仿真数据 |
| 5.3 算法仿真效果 |
| 5.3.1 神经网络建模仿真 |
| 5.3.2 温度均匀控制仿真 |
| 5.4 本章小节 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 硕士期间参与的项目和发表的论文 |
（3）基于PID控制的MOCVD过程PLC控制系统（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 1. 绪论 |
| 1.1. 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) |
| 1.1.1 金属有机化合物化学气相沉积的原理 |
| 1.1.2 金属有机化合物化学气相沉积系统构成 |
| 1.1.3 MOCVD系统的控制特点 |
| 1.2. 国内外MOCVD控制系统 |
| 1.3. 本文的研究目的 |
| 1.4. 本文的组织结构 |
| 2. PLC和PID的相关理论、相关技术研究 |
| 2.1. 可编程控制器的相关概念 |
| 2.2. 可编程控制器的结构 |
| 2.3. 程序设计 |
| 2.4. 比例-积分-微分控制器 |
| 3. MOCVD控制系统设计 |
| 3.1. MOCVD工艺流程 |
| 3.2. MOCVD系统的控制特点 |
| 3.3. MOCVD系统控制方案的选型 |
| 3.4. MOCVD系统控制的构成 |
| 3.5. MOCVD系统控制要点分析 |
| 3.6. PLC资源配置和组态设计 |
| 3.7. 本章小结 |
| 4. MOCVD控制系统下位机程序设计 |
| 4.1. S7-1200和STEP7软件的简介 |
| 4.2. 主控程序设计 |
| 4.3. 模拟量输入控制 |
| 4.4. 模拟量输出控制 |
| 4.5. 数字量输出控制 |
| 4.6. 报警处理程序 |
| 4.7. S7-1200反应室控制程序设计 |
| 4.8. 本章小结 |
| 5. MOCVD炉内压力平衡系统设计 |
| 5.1. 炉内压力平衡系统可使用的方案 |
| 5.2. 阀门开度控制模型 |
| 5.3. 工艺对象PID_3STEP |
| 5.4. PID_3STEP的调节 |
| 5.5. 本章小结 |
| 6. 结论与展望 |
| 6.1. 本文结论 |
| 6.2. 进一步工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（4）GaN型MOCVD控制系统的设计与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 MOCVD技术概述 |
| 1.2.1 MOCVD简介 |
| 1.2.2 MOCVD设备的研制历程及现状 |
| 1.3 MOCVD系统原理 |
| 1.3.1 MOCVD的工作原理 |
| 1.3.2 MOCVD的工艺流程 |
| 1.4 本文主要研究工作和结构安排 |
| 1.4.1 主要工作 |
| 1.4.2 论文结构 |
| 第2章 MOCVD控制系统研究 |
| 2.1 控制系统概述 |
| 2.1.1 工业PC |
| 2.1.2 PLC控制系统 |
| 2.1.3 DCS控制系统 |
| 2.1.4 FCS控制系统 |
| 2.2 MOCVD系统的控制方案 |
| 2.3 MOCVD控制系统组成 |
| 2.3.1 上位机监控系统 |
| 2.3.2 气路输运系统 |
| 2.3.3 反应室控制系统 |
| 2.3.4 温度控制系统 |
| 2.3.5 手套箱控制系统 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 MOCVD系统的硬件设计 |
| 3.1 MOCVD系统的硬件配置 |
| 3.2 上位机硬件配置 |
| 3.3 下位机硬件配置 |
| 3.3.1 主PLC配置 |
| 3.3.2 手套箱PLC配置 |
| 3.4 现场设备配置 |
| 3.5 通讯硬件配置 |
| 3.5.1 工业以太网 |
| 3.5.2 设备网 |
| 3.5.3 RSLinx |
| 3.5.4 PPI通讯 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 MOCVD系统PLC程序设计 |
| 4.1 编程软件——RSLogix5000 |
| 4.2 主控系统程序设计 |
| 4.2.1 工作模式 |
| 4.2.2 模拟量输入输出 |
| 4.2.3 数字量输入输出 |
| 4.2.4 步序控制 |
| 4.2.5 循环控制 |
| 4.3 手套箱PLC程序设计 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 MOCVD系统上位机软件设计 |
| 5.1 开发平台——Delphi7 |
| 5.2 上位机监控软件简介 |
| 5.2.1 工艺编辑 |
| 5.2.2 系统监控 |
| 5.2.3 数据曲线 |
| 5.2.4 软件加密 |
| 5.3 上位机监控软件与PLC通讯 |
| 5.3.1 OPC |
| 5.3.2 上位机与PLC通讯的实现 |
| 5.4 应用效果 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（5）基于OPC规范的MOCVD控制系统软件优化设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 OPC技术产生背景 |
| 1.3 OPC技术的发展历史及国内外研究现状 |
| 1.3.1 OPC的发展历史 |
| 1.3.2 OPC的国内外研究现状 |
| 1.4 实现OPC客户端开发工具的必要性和论文主要内容 |
| 1.4.1 实现OPC客户端开发工具的必要性 |
| 1.4.2 本文主要内容 |
| 第二章 OPC技术的基础—COM技术 |
| 2.1 COM技术简介 |
| 2.1.1 COM概念及特点 |
| 2.1.2 COM对象的标识—CLSID和ProgID |
| 2.2 COM接口和OPC对象接口定义 |
| 2.2.1 接口的定义、结构与分类 |
| 2.2.2 OPC对象接口定义 |
| 2.2.3 接口描述语言IDL |
| 2.2.4 接口函数的返回值 |
| 2.3 COM结构与实现 |
| 2.3.1 客户/服务器模型 |
| 2.3.2 组件存在的类型 |
| 2.3.3 通过COM库创建COM对象 |
| 2.3.4 通过COM库删除COM对象 |
| 2.3.5 C++调用OPC服务器的关键性代码 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 OPC自定义客户端开发环境和数据访问规范的研究 |
| 3.1 OPC自定义客户端程序开发环境 |
| 3.1.1 使用OPC自定义接口访问OPC服务器 |
| 3.1.2 OPC自定义接口的客户端程序开发基本步骤 |
| 3.2 OPC的数据访问方式的比较和确定 |
| 3.2.1 同步数据访问方式 |
| 3.2.2 异步数据访问方式 |
| 3.2.3 订阅式数据访问方式 |
| 3.2.4 数据访问方式的确定 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 OPC客户端程序的设计与开发 |
| 4.1 OPC客户端程序开发的步骤 |
| 4.2 OPC 自定义服务器对象模型 |
| 4.3 自定义服务器对象的研究和客户端程序开发的实现 |
| 4.3.1 OPCServer服务器对象 |
| 4.3.2 OPCGroup组对象 |
| 4.3.3 OPCItem项对象 |
| 4.3.4 OPC客户端界面的实现 |
| 4.4 程序中OPC头文件的改进 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 OPC客户端程序在MOCVD控制系统中的具体应用 |
| 5.1 MOCVD设备发展现状 |
| 5.2 MOCVD控制流程与控制系统特点 |
| 5.2.1 MOCVD控制流程 |
| 5.2.2 MOCVD控制系统特点 |
| 5.3 MOCVD控制系统硬件结构和下位机设计简介 |
| 5.3.1 MOCVD控制系统硬件结构 |
| 5.3.2 MOCVD控制系统下位机设计简介 |
| 5.4 OPC服务器与PLC的57 连接的组态配置 |
| 5.4.1 上位机的软件和硬件要求 |
| 5.4.2 OPC服务器与PLC 57 连接通信的组态 |
| 5.5 OPC客户端程序在MOCVD监控系统中的具体应用 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结和展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 附录A |
| 附录B |
（6）学位论文题目氮化镓有机化合物气相淀积（GaN MOCVD）设备控制系统研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的背景与意义 |
| 1.2 半导体照明技术概况 |
| 1.2.1 国外半导体照明技术概况 |
| 1.2.2 国内半导体照明技术概况 |
| 1.3 LED生产工艺流程及设备概述 |
| 1.4 GaN MOCVD设备概述 |
| 1.4.1 国外GaN MOCVD设备的概述 |
| 1.4.2 国内GaN MOCVD设备现状 |
| 1.4.3 GaN MOCVD设备的工艺特点 |
| 1.5 GaN MOCVD设备控制系统概况 |
| 1.5.1 GaN MOCVD设备的控制对象简介 |
| 1.5.2 国内外GaN MOCVD设备控制系统概况 |
| 1.5.3 自主研发GaN MOCVD控制系统存在的主要问题 |
| 1.6 本文的研究内容和结构 |
| 1.6.1 主要研究内容 |
| 1.6.2 本文组织结构 |
| 第二章 GaN MOCVD工艺分析与基本控制方案 |
| 2.1 MOCVD工艺流程及控制需求 |
| 2.1.1 MOCVD反应原理简介 |
| 2.1.2 MOCVD设备及控制需求 |
| 2.2 MOCVD基本控制方案 |
| 2.2.1 MOCVD总体控制方案 |
| 2.2.2 MO源精确输运控制方案 |
| 2.2.3 气体无扰动切换工作原理与控制方案 |
| 2.2.4 闭环压力自动控制原理与设计方案 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 GaN-MOCVD系统温度控制研究 |
| 3.1 反应器工作原理与基本温控方案 |
| 3.1.1 反应器基本结构与工作原理 |
| 3.1.2 基本温控方案 |
| 3.2 表面温度校正与加热功率分配 |
| 3.3 温控对象建模研究 |
| 3.3.1 温度控制系统分析 |
| 3.3.2 温度控制对象模型辨识 |
| 3.4 基于PID的GaN-MOCVD温度控制 |
| 3.4.1 基于PID的MOCVD温度控制方法 |
| 3.4.2 常规PID控制方法的局限和改进方向 |
| 3.5 基于模糊PID的GaN-MOCVD温度控制 |
| 3.5.1 模糊PID控制方法基本原理 |
| 3.5.2 控制器参数模糊化 |
| 3.5.3 模糊控制规则的建立 |
| 3.5.4 模糊推理与控制量解模糊 |
| 3.6 GaN-MOCVD温控效果分析 |
| 3.6.1 温控系统仿真结果分析 |
| 3.6.2 GaN-MOCVD温控系统实测效果 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 GaN MOCVD控制系统的开发与应用 |
| 4.1 GaN MOCVD控制系统硬件设计 |
| 4.1.1 控制系统的硬件构成 |
| 4.1.2 上位机硬件配置选型 |
| 4.1.3 PLC控制器 |
| 4.1.4 输入输出硬件配置 |
| 4.1.5 以太网通讯硬件配置 |
| 4.1.6 串行通讯硬件配置 |
| 4.2 GaN MOCVD控制系统软件开发 |
| 4.2.1 GaN MOCVD控制系统软件的功能 |
| 4.2.2 上位机软件系统的开发平台 |
| 4.2.3 上位机自动控制系统软件设计 |
| 4.3 GaN MOCVD控制系统的应用效果 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结束语 |
| 5.1 完成的主要工作 |
| 5.2 进一步的工作 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（7）基于PLC的第三代MOCVD控制系统研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 GaN 材料及生长技术 |
| 1.2 MOCVD技术特点 |
| 1.3 MOCVD系统原理 |
| 1.4 MOCVD设备发展现状 |
| 1.5 本文的主要工作 |
| 第二章 控制系统研究 |
| 2.1 DCS与FCS |
| 2.2 PLC可编程控制系统 |
| 2.3 MOCVD工艺流程与控制系统特点 |
| 2.4 MOCVD控制系统方案选型 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 MOCVD控制系统硬件结构设计 |
| 3.1 MOCVD控制系统结构 |
| 3.2 PLC资源配置和组态设计 |
| 3.3 PLC输入输出模块设计 |
| 3.4 控制柜设计和布局布线 |
| 3.5 系统抗干扰分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 MOCVD控制系统下位机软件设计 |
| 4.1 S7-300 及STEP7 简介 |
| 4.2 OB1 主控程序设计 |
| 4.3 步序循环控制 |
| 4.4 模拟量输入控制 |
| 4.5 模拟量渐变和输出控制 |
| 4.6 数字量输出控制 |
| 4.7 报警处理程序 |
| 4.8 S7-200 反应室控制程序设计 |
| 4.9 S7-300 程序下载及加密 |
| 4.10 本章小结 |
| 第五章 MOCVD监控界面系统设计 |
| 5.1 WinCC 监控组态软件简介 |
| 5.2 WinCC 与 S7-300 的通讯 |
| 5.3 MOCVD监控系统功能 |
| 5.4 MOCVD监控界面设计实现 |
| 5.5 Excel 材料生长工艺编写 |
| 5.6 MOCVD监控系统运行 |
| 5.7 OP77B组态画面设计 |
| 5.8 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（8）基于PLC的MOCVD控制系统的优化设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 GaN(氮化镓)简介 |
| 1.2 氮化镓材料的制备 |
| 1.3 MOCVD系统 |
| 1.4 主要工作和论文安排 |
| 1.4.1 主要工作 |
| 1.4.2 本文章节安排 |
| 第二章 MOCVD控制系统方案 |
| 2.1 工业控制自动化的现状简介 |
| 2.1.1 工业PC的发展 |
| 2.1.2 PLC的发展 |
| 2.1.3 DCS系统 |
| 2.1.4 现场总线（FCS） |
| 2.1.5 现代计算机控制系统 |
| 2.2 MOCVD控制系统的方案 |
| 2.3 S7-300/400PLC 简介 |
| 2.3.1 可编程控制器简介 |
| 2.3.2 可编程控制器的工作原理 |
| 2.3.3 可编程控制器的应用 |
| 2.3.4 可编程控制器的特点 |
| 2.3.5 编程软件简介 |
| 2.3.6 STEP7 使用方法 |
| 2.4 上位机界面编程软件WinCC 5.0 简介 |
| 2.4.1 WinCC简介 |
| 2.4.2 WinCC性能特点 |
| 2.4.3 WinCC的各个功能子系统简介 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 MOCVD控制系统设备选型与设计实现 |
| 3.1 MOCVD控制系统总体结构 |
| 3.2 MOCVD控制系统的设备选型 |
| 3.2.1 上位机选型 |
| 3.2.2 下位机选型 |
| 3.3 控制柜设计 |
| 3.4 气路的控制 |
| 3.4.1 电磁阀的控制 |
| 3.4.2 电机的控制 |
| 3.4.3 压力、流量控制 |
| 3.4.4 反应室温度控制设计 |
| 3.5 系统保护措施 |
| 3.5.1 系统的干扰分析 |
| 3.5.2 系统的抗干扰措施 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 MOCVD控制系统下位机设计及优化 |
| 4.1 下位机主控程序的总体设计 |
| 4.2 步序控制的实现 |
| 4.3 循环控制的实现 |
| 4.3.1 循环控制方案 |
| 4.3.2 上位机循环控制程序 |
| 4.3.3 下位机循环控制程序 |
| 4.4 模拟量的多路分时选择输入 |
| 4.4.1 方案设计 |
| 4.4.2 控制程序的编写 |
| 4.4.3 采入时间的控制 |
| 4.5 模拟量的平滑处理及实现 |
| 4.5.1 模拟量平滑处理方案 |
| 4.5.2 RAMP功能模块的设计 |
| 4.5.3 爬升控制程序的实现 |
| 4.5.4 模拟量的输出控制 |
| 4.6 数字量的输出 |
| 4.7 报警及故障处理 |
| 4.8 本章小结 |
| 第五章 MOCVD控制系统上位机监控系统设计 |
| 5.1 上位机监控系统功能 |
| 5.2 主监控界面 |
| 5.3 数据记录图及趋势图界面 |
| 5.4 报警界面 |
| 5.5 通讯设置 |
| 5.6 工艺编写工具 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
（10）MOCVD控制系统的优化设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 MOCVD的基本概念 |
| 1.1.1 什么叫MOCVD |
| 1.1.2 MOCVD技术的特点 |
| 1.1.3 MOCVD的设计发展 |
| 1.1.4 MOCVD工作原理 |
| 1.1.5 MOCVD系统结构 |
| 1.2 MOCVD在我国的发展 |
| 1.2.1 国内行业现状 |
| 1.2.2 MOCVD设备的研制意义 |
| 1.3 主要工作介绍 |
| 第二章 MOCVD系统方案定型 |
| 2.1 工业控制自动化的现状简介 |
| 2.1.1 工业PC |
| 2.1.2 集散控制系统DCS |
| 2.1.3 现场总线控制系统FCS |
| 2.1.4 PLC控制系统 |
| 2.2 S7-300PLC及其编程软件STEP7简介 |
| 2.2.1 S7-300系列PLC系统结构 |
| 2.2.2 S7-300的CPU及电源模块 |
| 2.2.3 S7-300的输入/输出模块 |
| 2.2.4 I/O模块地址的确定 |
| 2.2.5 STEP 7简介 |
| 2.3 MOCVD控制系统的方案选择 |
| 2.3.1 下位机选型 |
| 2.3.2 上位机选型 |
| 第三章 MOCVD控制系统的设计 |
| 3.1 MOCVD控制流程 |
| 3.1.1 MOCVD工艺流程 |
| 3.1.2 MOCVD控制流程 |
| 3.2 MOCVD系统的气路及温度控制 |
| 3.3 控制柜设计 |
| 3.4 硬件配置和组态 |
| 3.4.1 PLC硬件配置 |
| 3.4.2 PLC硬件组态 |
| 3.4.3 PLC与WinCC通信 |
| 3.5 报警及故障处理 |
| 3.6 系统保护措施 |
| 3.6.1 系统的干扰分析 |
| 3.6.2 系统的抗干扰措施 |
| 第四章 上位机监控界面的优化设计 |
| 4.1 监控界面的设计原则 |
| 4.2 WinCC简介 |
| 4.2.1 简介 |
| 4.2.2 性能特点 |
| 4.2.3 WinCC V6.0的新增功能 |
| 4.3 监控系统的功能及实现方法 |
| 4.3.1 主要功能 |
| 4.3.2 监控界面的设计实现 |
| 4.3.3 监控界面及其基本操作 |
| 4.4 Excel配方下载程序的编写 |
| 4.5 监控界面的运行 |
| 4.6 监控系统的优化 |
| 4.6.1 配方下载程序优化 |
| 4.6.2 数据自动保存 |
| 4.6.3 进度条及系统时间显示 |
| 4.7 串口通讯程序的编写 |
| 4.7.1 异步串口通讯简介 |
| 4.7.2 动态连接库(DLL)的调用 |
| 4.7.3 数据处理 |
| 第五章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 研究成果 |
四、MOCVD设备〖集散控制系统〗设计（论文参考文献）
- [1]彼得·纽马克交际翻译理论视角下《国际空港城市：在大空间中构建未来》（第六章至第八章）英译实践报告[D]. 许秀明. 东北大学, 2019(02)
- [2]MOCVD温度监测与均匀性研究[D]. 鲁二峰. 浙江大学, 2014(07)
- [3]基于PID控制的MOCVD过程PLC控制系统[D]. 李爽. 中南大学, 2013(03)
- [4]GaN型MOCVD控制系统的设计与研究[D]. 周晓琴. 南昌大学, 2012(12)
- [5]基于OPC规范的MOCVD控制系统软件优化设计[D]. 王志会. 西安电子科技大学, 2010(11)
- [6]学位论文题目氮化镓有机化合物气相淀积（GaN MOCVD）设备控制系统研究[D]. 胡晓宇. 国防科学技术大学, 2009(S1)
- [7]基于PLC的第三代MOCVD控制系统研究与设计[D]. 牛年增. 西安电子科技大学, 2009(07)
- [8]基于PLC的MOCVD控制系统的优化设计[D]. 斗李宁. 西安电子科技大学, 2009(07)
- [9]基于数值模拟的MOCVD反应器设计与优化[J]. 胡晓宇,陈海昕. 电子工业专用设备, 2008(07)
- [10]MOCVD控制系统的优化设计[D]. 邓方林. 西安电子科技大学, 2008(S2)